紫光瀕臨破產、華為遭封殺　分析師：不代表中國半導體無法自給

摩根士丹利日前出具一份名為「中國如何重塑（Rewiring）全球半導體產業」研究報告，剖析中國力拚「自給自足」，將重塑全球半導體產業面貌。該報告預期，「中國本土化會進入新的階段：從量到質產生改變。」

摩根士丹利認為，中國將「先重設計而不是製造」，把本土系統廠、IC設計做好、提升市佔、創造利潤，帶出正循環後，再慢慢往晶圓製造突破。因此規劃中有提到要加強創新型、應用型、技能型人才培養、並在上海北京等大城市設立科技創新中心，這些都是中共開始從短期到長期規劃的科技breakthroughs（突破）歷程。

詹家鴻在報告中預期，在中國政府自立自強、自給自足政策規劃下，中國設計晶片市佔率將增長，銷售額從2019年180億美元，2025年增至480億美元，年複合增長率達17%，「會有更多中國在地設計的晶片和產品出現，預計2025年中國晶片供應商可滿足40%在地需求。」

大摩：2025陸製晶片可供應40%在地需求

為何能做到呢？

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摩根士丹利點名進入門檻較低的記憶體（DRAM／NAND）、功率離散元件、射頻（RF）元件、類比IC領域，都能逐漸獲得突破，帶動中國半導體產業的自給自足。

詹家鴻解釋，「這類半導體次產業一旦學會技術、能把規模做大、價格壓低，市佔率就能快速攀升，因此中國能取得充分的增長空間。」

例如，中國記憶體領域7、8年前就已有突破，像是中國重點扶植的廠商長江存儲，2015年就和美國快閃記憶體廠飛索半導體（Spansion）簽署3D NAND技術授權，2020年開始投入128層堆疊NAND Flash產品製造，預期2021年就有機會衝擊市場。日前研調機構TrendForce就指出，NAND Flash市場競爭將因長江存儲的產品量產，更加嚴峻，長期價格面臨持續走跌的壓力。

而大陸射頻前端及類比IC供應商如唯捷創芯（Vanchip）或江蘇卓勝微電子，也先從低端產品開始瓜分市場。（延伸閱讀：中美貿易戰，習近平的祕密武器就在長江三角洲）

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因此，在上述產品發展下，大摩預期2025年時，大陸廠商可陸續吃下市佔，在全球半導體產業市佔，由目前4～5%提升至9%。

十年看願景：解決設備端等技術被美國「卡脖子」問題

長線而言，中國科學院院長白春禮2020年9月中旬在大陸國務院新聞辦公室的發表會談話，則可看出端倪：「未來十年會針對一些卡脖子的關鍵問題，做新的部署，一是繼續研發自己的超算系統（超級電腦）；二是很多關鍵材料和關鍵核心技術還需要進口，如航空輪胎、軸承鋼、光刻機（微影製程設備）。」

詹家鴻說，若後續美國政府持續採取「有條件的控制」（Selective control）情境下，大陸科技自主化有機會「緩慢進行」。

瑞銀全球研究部中國策略主管劉鳴鏑也說，十四五規劃肯定了全面創新，從2021年市場機會看來，DRAM與NAND Flash的需求和產能，會因中國政府專案加持，以及遠距工作和雲計算業務需要相應的伺服器與通訊零組件支援，因此會在2021年成為成長最具動能的半導體次產業。

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但劉鳴鏑說，半導體晶圓代工和設備端，仍要觀察美國的態度。

自立自強有挑戰：5至10年半導體設備仍仰賴美國

IC通路商弘憶國際總經理劉彥輝就透露，中國在半導體製造和設備端還是很難突破，該公司轉投資的上海孫公司2020年第一季和合肥恒爍半導體公司簽訂Nor flash等產品代理合約，討論合作期間接觸不少中國半導體廠，發現合肥恒爍剛接收一批從武漢弘芯離開的員工。

劉彥輝說，因大陸半導體起步太晚、受限太多，投再多錢都不容易，尤其是半導體製造硬體設備領域。

摩根士丹利也預期，未來5至10年，半導體設備和晶片設計EDA（電子設計自動化）和IP，仍須仰賴美國技術。詹家鴻亦言，在微影製程等關鍵設備領域，華為就把希望放在瀋陽芯源（KingSemi）等公司，但大陸半導體設備供應商市佔率仍然很小、技術落後美國，中國、日本或歐洲供應商都很難取代艾司摩爾（ASML）和科磊（KLA），美國一旦停止或限制供應，就能限制中國發展先進製程如5奈米的能力。

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（責任編輯：黃韵庭）

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