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台積剛發布2026第二季財報，營收獲利強勁，同時加碼投資美國4座新廠。正好呼應了前一日半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）15日公布的亮眼業績。
艾司摩爾第二季財報，營收93億歐元、淨利29億歐元均優於預期，並上調全年營收預估至430億至450億歐元。
執行長傅凱（Christophe Fouquet）指出，AI持續推升先進邏輯與記憶體晶片需求，今年EUV營收將成長約45%、記憶體相關營收大增75%，2027年EUV訂單「幾乎已全數到位，」低數值孔徑極紫外光（Low NA EUV）產能明年將在今年約65台的基礎上再增30%，並評估2028年再增30%。
專訪EUV獨家供應商：創浦
艾司摩爾大舉擴產，壓力隨即傳導至供應鏈最上游。EUV光源核心——高功率二氧化碳脈衝雷射的全球獨家供應商、德國創浦（Trumpf），正是這波超級循環的關鍵螺絲。
記者在艾司摩爾財報發表當日，正在創浦位於德國迪欽根的總部。
創浦技術長施密特（Berthold Schmidt）表示，創浦與艾司摩爾合作近20年，共同將EUV微影推向量產成熟，「我們為這套系統提供全世界功率最強、可能也是最複雜的工業脈衝雷射。」
創浦的半導體相關營收約10億歐元，約佔集團總營收四分之一，全球逾2500名員工投入。
面對艾司摩爾倍數擴產，EUV事業部執行長雅各布森（Volker Jacobsen）給出明確承諾，「我們絕不會成為這波成長的瓶頸。」
他透露，創浦計劃在2027年底前將EUV雷射年產量倍增，投入EUV開發的工程師超過500人，規模歷來最大。
他並指出，AI帶動HBM記憶體需求爆發，南韓兩大記憶體廠擴產動能驚人，創浦將強化在韓國佈局。台灣則是全球EUV雷射裝機量最多的國家，創浦去年11月已設立技術中心，並評估在台灣建立維修與供應能量。
不只創浦，供應艾司摩爾EUV機台的關鍵零件透鏡的蔡司半導體（SMT），執行長雷蒙（Frank Rohmund）也告訴《天下》，因為EUV的成長也帶動蔡司半導體成長10%。
High NA EUV要價4億美元，會普及嗎？
外界仍最關注艾司摩爾下一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV），一台要價4億美元，主要晶圓廠態度特別關鍵，尤其是台積電。
艾司摩爾財報同日宣布重要里程碑，英特爾晶圓代工（Intel Foundry）已將High NA EUV，用於量產部份代號Panther Lake的Core Ultra Series 3處理器，18A製程特定層數已在美國奧勒岡州完成雙重驗證並開始出貨，傅凱稱這證明了機台的成熟度。
台積電擴產同樣毫不手軟，董事長魏哲家在16日法說會上宣布加碼投資美國1000億美元、增建4座晶圓廠，但對High NA導入則暫不搶先。
魏哲家表示，High NA是很好的工具，「我們深信不疑，也理解它有非常高的效能，」但其曝光視野（field size）僅為現行機台的一半，已納入製造效益與成本的考量；台積電正與艾司摩爾合作，讓High NA在成本與成熟度上更適合量產，「我們總是考量技術、成熟度與成本，來決定是否採用。」
他在6月股東會上即說明，台積電並非不投資High NA，「我們有買，而且正努力做各種研發，」至於買了幾台，他笑稱「不好意思講。」
施密特認為晶圓廠謹慎是正常節奏，新技術問世初期，客戶先購入一、兩台驗證本來就需要時間，何況當前需求爆發，晶圓廠自然優先擴充成熟製程技術。
但施密特堅信High NA遲早會確立市場地位，關鍵則在，必須提高機台產出，才能攤平High NA高昂的成本。
歐洲半導體研發機構比利時校際微電子中心（imec）主管4月也告訴《天下》，「High NA導入是經濟學問題，」同一金屬層用Low NA需三道多重曝光，High NA一道即可，成本、良率與週期時間的權衡將決定導入時點，但他預期High NA普及「會比當年EUV快得多。」
AI驅動的EUV超級循環已從晶圓廠一路延燒到設備供應鏈最上游，正如施密強調，「誰能推動下一代晶片的發展，誰就能塑造半導體產業，以及未來社會的樣貌。」（責任編輯：宋玟蒨）
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